今天，兆驰半导体、旭显改 日 接踵揭橥○最新Micro LED专利讯 息，涉及 低电流密度下芯片□的本能擢升，提升芯片内量子效用，以及擢升巨量迁徙效用。江西□兆驰半导体有限 公司申请一▽项名为“一种 蓝 光Micro-LED的外延布局■及其制备本领”的专利，公然号CN118825157A，申请日期为2024年9月。

　　该专 ★利可消浸成长■ InG■a▽ N量子 ◁阱时的应力，明显改观大量子阱发光层的质地，同时提升 P 型半导体层的空穴 注 入效用，从而■提升Micro L ED芯片正在低管事电★流密度下的光效、良率等本能，实用于小尺寸、低电流以及低○ 功○○○率的○蓝光M icro LEDBsports必一体育bsports必一体育LED拼接处理器液晶拼接屏，。

　　专利摘要显示，出现涉及半导体原料的工夫范畴，公然了一种蓝光Micro…‑LED的外延布局及其制备本领，外延布局席卷衬底，正在所述★衬底上按 次 层叠 的缓冲 层，N型半导体层，低温应力开释层，大量子阱发光层，电子妨碍层和P型半导体层，所述大量子阱发光层席卷由下至上按次层叠成长 的第一浅 蓝○光大量子△阱子层第二浅 蓝光大量子 阱子层第三蓝光大量 ○ □子阱子 ■层和第四=浅蓝光大量子阱子层，此中每层子层均为In□GaN大量子阱层与大量子△▽垒层的超晶格布局。

　　此外，兆驰半导体还申请一项名为“一种Micro-○LE=D 的△外延★ 布 局及其制 备本领”的专利，公然号CN118825159A，申请日期为2024年9月。

　　该专利通过正在正在N◁型掺杂GaN层 和大量子阱层之间成立插 入层，可能消浸成长大量 子阱层时的应力，并消浸大量子阱层的位错密度，提升大量子阱层的晶体质地，从而提升□M○ic ○=ro LE▽D△的内量 子效▽用，消浸管事电压，擢升发光亮度。

　　专利摘要显示，出现涉及半导体原料的工夫范畴，公然了一 ○○种 Mi■ cro LED的外△○延○布局 ■及其制备本领，所述外延布局席卷衬底，正在所述衬底上按次层叠○的○缓冲层，未掺杂的GaN层，N型掺杂○G aN层插入◁○层大量子 阱层，电子妨碍层，P型掺杂GaN层和接触层；此中b体育登录入口app画面分割器液晶bsports必一体育拼接屏LED拼接处理器，，所述○插■○入层席卷◁于所述N型掺杂 GaN层上…按次成立的AlN层、图形化的GaSb层、Al金属层和InGaN层。

　　原料显示○LCD大屏幕拼接 治理显，兆驰股份于2017年正在江西南昌兴办兆驰半 导体，目预兆驰半导体是环球单体界限最大的 数字智能LED芯片坐蓐基地，也是兆★驰股份 LED营业板…块最首要○的营收出处，其产销界限抵达了110万片晶圆（4寸片） /月。

　　邦度常识产权局讯息显示，旭显改日… （北 京○）科技有限公司得到一项 名 为“一种MicroLED芯片巨○量迁 徙安装”的专利，授权○告示号CN■221885132U，申请日期为2024年2月。专利可 通过 正在焊盘处 所 ○ 成立凹◁陷区，并运用磁性○吸附 的道理告终Micro L…E★D芯片的神速定位安设，牢靠性高。

　　专利摘要显示，本适用新型涉及显示工夫范畴，详细涉及一种 Micr o L E…= D芯片巨量迁徙安▽装。一种Mi cro LED芯片巨量迁徙安装席卷Micro LE ○D芯片、迁徙基板和摇动单位；迁徙基板上成立有焊盘处所，焊盘处所处成立有凹陷区；焊盘 处▽所 ○的此▽中一 个电极具有磁◁性；Micro LE D芯片两 个电极○具有磁○性，此中，Mic ro LED芯★片与迁徙 基板一致界说的电极上具有的磁性与焊盘处所上的磁性相反；摇动单位与迁徙基板传动衔尾▽并用于摇动迁徙基板，使M…icro LED芯片落于凹陷区。

　　旭显改日是一家专业从事Mini/Micro LED显示屏坐蓐工夫研发、软件开拓、工夫办事、编制集成的高新工夫企业。正在■★寰▽ ○■宇范▽▽畴内组织 了五大坐蓐…基地，永别位于 山东LCD大屏幕拼接治理显、湖南、江西、安徽、浙江。

　　此中，湖南工场于本 年7月■凯旋点亮第一△批倒装COB△= M★ini L ED显示箱 体产物。改日，该工场 可…年产66000平方米Min◁i LED□显示★模组。旭显改日预。Bsports必一体育bsports必一体育LCD大屏幕拼接处理显